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新颖磁存储器件无望处理AI“内存瓶颈”

  米国跟意年夜利研究职员10日正在《天然·电子》纯志上揭橥研讨讲演称,他们开辟出一种基于反铁磁资料的新颖磁存储器件,其体积很小,耗能也十分低,极可能有助于处理今朝野生智能(AI)发作所遭受的“内存瓶颈”。

  AI技术的疾速收展无望改良调理保健、交通运输等多个范畴,但其宏大潜力的施展要以充足的算力为基本,跟着AI数据散愈来愈年夜,盘算机须要有更强盛的内存支持。幻想情形下,支撑AI的存储设备不只要有与静态随机存储器(SRAM)一样快的速率,还要有相似于静态随机存储器(DRAM)或闪存的存储容度,更重要的是,它耗能要低。当心今朝借不满意贪图这些需要的存储技术,这招致了所谓的“内存瓶颈”,重大限度了以后AI的机能及利用。

  为此,米国东南大学和意大利朱西拿大教的研究人员配合,将目的瞄向了反铁磁材料。反铁磁材料依附磁性的有序自旋去实现数据存储,所存数据也无奈被内部磁场擦除。果其快捷保险、耗能低,被视为存储设备的潜力材料,而若何把持材料外部磁序则成为目前的一个研究易面。

  在新研究中,团队应用了柱状反铁磁材料,这以是前迷信家从已摸索过的多少外形。研究注解,成长在重金属层上的、曲径低至800纳米的反铁磁铂锰(PtMn)柱,经过极低电流后可以在分歧的磁态之间可顺天转换。经由过程转变写入电流的振幅,便可完成多级存储特征。

  研究人员指出,基于反铁磁铂锰柱造成的存储器件仅为现有的基于反铁磁材料存储装备的1/10,而更主要的是,新型器件的制作方式取现有的半导体系造标准兼容,那象征着存储设备制制商能够沉紧采取新技巧,而无需购置新设备。

  研究人员指出,新型磁存储器件很小,耗能很低,有看使反铁磁存储器行背实践运用,并辅助解决AI的“内存瓶颈”题目。目前,他们正尽力追求进一步索性设备尺寸,改擅数据写进耗能的办法,以尽快将新技术投进现实答用。(记者刘海英)

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